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问题 5：解决边缘放置错误

芯片一次制作一层。每层可以包含数十亿个单独的特征，例如线、线段和通孔。这些特征中的每一个的边缘都需要与它们在上下层上的相对特征正确对齐。如果特征未对齐，则可能会出现影响功率和性能的细微错误，或者可能会破坏整个晶圆或每个晶圆上很大一部分芯片的重大错误。随着EUV的不断缩小，由此产生的上市时间和良率问题越来越难以解决。

传统的光学覆盖使用放置在晶圆非活动区域中的“代理目标”来对齐各个层，例如在芯片切割过程中被锯掉的芯片之间的划线。从理论上讲，一次一层地排列这些标记，可以正确对齐芯片所有关键层上的所有数十亿个特征边缘。

在实践中，我们尝试对齐的单个特征至少比代理目标小10倍。此外，光刻技术中固有的细微可变性以及沉积和蚀刻等工艺步骤会产生细微的问题，例如间距步进，而这些问题无法使用光学技术看到和控制。

越来越多的光刻专家使用eBeam技术扫描每个2D层并识别图案变化。然而，他们的努力仍然主要集中在一次诊断一个2D层的问题上，并在扫描芯片的下一层时进行光学调整。随着我们继续使用EUV进行扩展，工程师们遇到了更多的“盲点”：他们尽一切可能使用光学校正，但仍然会遇到无法解决的边缘放置错误。此外，如果在大批量制造过程中出现图案偏移，依赖代理目标近似的工程师在等待新掩模时可能会损失数周的时间和产出。

行业需要的是3D成像和图案控制，它可以同时直接成像和测量芯片多个层的关键特征，以快速表征和诊断边缘放置错误的所有来源，包括重叠和对齐；线条和切割均匀度；线和切边粗糙度；和球场步行。

问题 6：利用大数据和人工智能加速进步

为了加快研发和大批量生产的速度，理想情况下，我们将获得大量数据并使用高级分析来解开导致图案问题的各种因素。我们将使用这些数据来创建具有最大余量的优化工艺配方——称为工艺窗口——以使EUV的内在缩放能够持续到未来。

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